词条 | 光刻 |
释义 | guangke 光刻(卷名:机械工程) photoetching 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知,但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代,美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来,并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一,并已用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。 ![]() 光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子溶液,种类很多,根据光化学反应的特点一般可分为正性和负性两大类。凡用显影液能把感光的部分溶解去除的称为正性光致抗蚀剂;用显影液能把未感光的部分溶解去除的称为负性光致抗蚀剂。 光刻的精度很高,可达微米数量级,为使蚀刻线条清晰、边缘陡直、分辨率小于1微米的超微细图形,可采用远紫外曝光、X射线曝光、电子束扫描曝光,以及等离子体干法蚀刻等新技术。 参考书目 李家植编:《半导体化学原理》,科学出版社,北京,1980。 |
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