位错(卷名：化学)
dislocation
晶体线缺陷的一种。位错是由于晶体生长不稳定或机械应力等原因，在晶体中引起部分滑移而产生的。所谓部分滑移是指晶体的一部分发生滑移，而另一部分没有发生滑移。位错线就是晶体中已滑移区和未滑移区在滑移面上的交界线。它在晶体中构成一个闭合环线或终止于晶体表面。
类型 根椐滑移矢量b与位错线取向的异同，位错分为三种类型：
刃型位错 晶体中发生部分滑移时，滑移面上的滑移方向和滑移距离可用滑移矢量b 表示。位错线与滑移矢量b垂直的位错，称为刃型位错(图1)。
螺型位错 位错线与滑移矢量b相平行的位错（图2）。
混合位错 位错线与滑移矢量b的方向既不垂直，也不平行的位错，是刃型和螺型位借的混合型式，或称复合位错（图3），A处是纯螺型位错，C处是纯刃型位错，A、C之间各处均为混合位错。
位错研究的意义 ①位错理论是晶体缺陷理论的中心，也是理解其他晶体缺陷的钥匙；②晶体的力学性质，原则上取决于位错的密度、分布、运动和其他晶体缺陷的相互作用；③位错在晶体中产生应力和应变，因而增加储存的弹性性能；④位错不仅改变晶体的力学性质，而且改变晶体的生长速度、电学性质、光学性质、磁学性质和超导性质等；⑤利用位错的概念，可以解释晶体出现的各种有关现象，如晶体的蠕变、解理、加工硬化、回复和再结晶等；⑥与位错有关的堆垛层错概念，在研究机械孪晶、外延生长和马氏体相变等方面相当重要；⑦可用电子显微技术直接观测晶体生长过程中的螺旋位错运动，有力地证明了晶体生长螺旋位错理论，推动了位错理论的发展。
位错理论在建立以后的长时期内，是紧密地结合金属强度和范性问题的研究而发展的，而20世纪60年代以后，位错研究已突破这一传统领域。位错与电子、位错与磁畴以及位错与超导涡线点阵的相互作用等问题已引起人们的兴趣，并在材料科学中显示出重要的意义。
参考书目
J.弗里埃德尔著，王煜译：《位错》，科学出版社，北京，1984。
(J.Friedel，Dislocations，Pergamon，Oxford，1964.)