出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 悬浮区熔法 |
| 释义 | 悬浮区熔法 悬浮区熔法 亦称“无坩埚法”，简称“FZ法”。晶体生长的熔区呈悬浮状态的晶体生产工艺。熔区完全依靠表面张力和高频电磁力的支托，悬浮于多晶料棒与下方生长的单晶之间。制备的单晶氧含量和杂质含量低，可得到低氧高阻的单晶硅，但熔体与晶体的界面复杂，很难获得无层错晶体，且成本过高。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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