出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 热施主缺陷 |
| 释义 | 热施主缺陷 热施主缺陷 直拉单晶硅在300～500℃范围进行热处理，产生大量施主的现象。使材料的电阻率严重不稳，甚至产生反型。具体表现为：使n型单晶硅的载流子浓度增加，电阻率下降，而使p型硅单晶的载流子浓度被复合而减小，电阻率上升，最终转换成n型硅单晶。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 |
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