出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 间接带隙半导体 |
| 释义 | 间接带隙半导体 间接带隙半导体 导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中位置不同的半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）时，不仅需要吸收能量，还要改变动量。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 间接带隙半导体 价带顶位于波矢空间原点，而导带底并不在波矢空间原点的半导体。如锗、硅和部分13-15族化合物半导体。电子不仅吸收光子还与晶格交换能量，发生非直接跃迁。伴随发射或吸收适当的声子，电子的波矢可以改变。磷化镓是间接带隙半导体，其发光也是间接跃迁产生的。但如果将磷化镓和砷化镓混合制成GaAs 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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