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接近式光刻
释义
接近式光刻
信息科学卷
接近式光刻
曝光时,掩模版与光刻胶层略微分开(大约为10~50微米的距离)的光刻技术。可避免与光刻胶直接接触而引起的掩模版损伤。但同时引入衍射效应,降低了最大分辨率,仅为2~4微米。
出处:信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术
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更新时间:2025/7/29 19:33:54