“接近式光刻”的意思、由来-百科全书

词条	接近式光刻
释义	接近式光刻信息科学卷接近式光刻　　曝光时，掩模版与光刻胶层略微分开（大约为10～50微米的距离）的光刻技术。可避免与光刻胶直接接触而引起的掩模版损伤。但同时引入衍射效应，降低了最大分辨率，仅为2～4微米。出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术
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