出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学
pn结电容
pn结电容 pn结在外加电压作用下,因结区电荷数发生变化而引起的电容效应。包括势垒电容和扩散电容两部分。势垒电容是由pn结上外加电压变化时,势垒区中的空间电荷(正、负离子)数量发生变化所致。它的计算公式类似于对一个平行板电容器:势垒区宽度δ相当于两板的间距,相对介电常数为ε的半导体相当于两板间的电介质,故有 式中A为pn结面积,ε0 为真空介电常数。上式与普通平行板电容器的差别,在于δ随外加电压而变:加正向偏压时δ减小,势垒电容增大;加反向偏压时δ增大,势垒电容减小。扩散电容来源于外加电压下pn结中载流子的注入作用。加正偏压时,从n区向p区注入电子,成为p区中的非平衡少数载流子,为保持电性中和,p区中必将增加同数量的非平衡多数载流子(空穴)。正向偏压改变,这些非平衡电子和空穴的数量也随之改变,而表现为电容效应。pn结加反向偏压时,没有载流子注入,故扩散电容很小,可忽略。