出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术
| 词条 | 直拉法 |
| 释义 | 直拉法 直拉法 制备单晶硅的一种生长方法。把多晶硅料和掺杂剂放在石英坩埚中加热熔化，然后把籽晶放于溶硅中，待籽晶周围的溶液冷却后，硅晶体就会依附在籽晶上。在温度和拉速达到要求后，把晶体向上提拉。在晶体提拉到预定高度后，会把尾部拉制成锥形，形成一支完整的单晶。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 直拉法 亦称“丘克拉斯基法”。一种从熔体中生长单晶体的方法。由波兰科学家丘克拉斯基（Jan Czochralski，1885—1953）发明。将原料放在铂或铱等坩埚中加热熔化，在适当温度下，将籽晶浸入液面，让熔体先在籽晶的末端生长，然后边旋转边慢慢向上提拉籽晶，晶体即从籽晶末端开始逐渐长大。应用于制取大尺寸硅单晶、铌酸锂压电晶体等。 出处：材料科学卷 • 无机非金属材料 • 晶体 直拉法 亦称“丘克拉斯基法”。一种从熔体中生长单晶体的方法。由波兰科学家丘克拉斯基（Jan Czochralski，1885—1953）发明。将原料放在铂或铱等坩埚中加热熔化，在适当温度下，将籽晶浸入液面，让熔体先在籽晶的末端生长，然后边旋转边慢慢向上提拉籽晶，晶体即从籽晶末端开始逐渐长大。应用于制取大尺寸硅单晶、铌酸锂压电晶体等。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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