出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 直接带隙半导体 |
| 释义 | 直接带隙半导体 直接带隙半导体 导带最小值（导带底）和价带最大值（价带顶）在k空间中同一位置的半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）时，只需要吸收能量。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 直接带隙半导体 导带极小值和价带极大值相应于相同波矢的半导体。在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁。在跃迁过程中，除能量守恒外，还遵循动量守恒。跃迁前后，波矢不变。能量大于禁带宽度的光子均能被吸收而形成一个连续吸收带。如13-15族的砷化镓、锑化铟等，以及14-16族化合物半导体。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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