出处：数理化力学卷 • 化 学 • 无机化学
| 词条 | 砷化镓 |
| 释义 | 砷化镓 砷化镓 化学式GaAs。一种重要的化合物半导体材料。深灰色立方晶体。高毒性。熔点1238℃。高于600℃时能被空气氧化,无氧化剂存在时仅被酸缓慢侵蚀。由镓和砷在高温和一定的砷蒸气压下经人工合成而得。同锗、硅相比,其禁带宽度和电子迁移率较大,故制成的器件有较好的频率特性和耐高温特性。许多微波半导体器件,如变容二极管、金属-半导体二极管、体效应管和场效应晶体管等都可用它来制造。此外其发光特性好,光电转换效率高,也是制作半导体激光器、微波体效应器件等的合适材料。也可用于制半导体温度计、太阳能电池等。还广泛用于雷达、电子计算机、宇宙飞船等方面。 出处：数理化力学卷 • 化 学 • 无机化学 砷化镓 化学式GaAs。一种重要的化合物半导体材料。深灰色立方晶体。高毒性。熔点1238℃。高于600℃时能被空气氧化,无氧化剂存在时仅被酸缓慢侵蚀。由镓和砷在高温和一定的砷蒸气压下经人工合成而得。同锗、硅相比,其禁带宽度和电子迁移率较大,故制成的器件有较好的频率特性和耐高温特性。许多微波半导体器件,如变容二极管、金属-半导体二极管、体效应管和场效应晶体管等都可用它来制造。此外其发光特性好,光电转换效率高,也是制作半导体激光器、微波体效应器件等的合适材料。也可用于制半导体温度计、太阳能电池等。还广泛用于雷达、电子计算机、宇宙飞船等方面。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 砷化镓 化学式GaAs。一种重要的化合物半导体材料。深灰色立方晶体。高毒性。熔点1238℃。高于600℃时能被空气氧化，无氧化剂存在时仅被酸缓慢侵蚀。由镓和砷在高温和一定的砷蒸气压下经人工合成而得。同锗、硅相比，其禁带宽度和电子迁移率较大，故制成的器件有较好的频率特性和耐高温特性。其单晶按其电阻率和导电类型，分半绝缘砷化镓单晶、n型低阻砷化镓单晶和p型低阻砷化镓单晶三种。按制备方法，分为水平砷化镓单晶、直拉砷化镓单晶、垂直梯度凝固砷化镓单晶。可用于制造微波半导体器件，如变容二极管、金属-半导体二极管、体效应管和场效应晶体管等。发光特性好，光电转换效率高，也是制作半导体激光器、微波体效应器件等的合适材料。也可用于制作半导体温度计、太阳能电池等。还广泛用于雷达、电子计算机、宇宙飞船等方面。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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