出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 词条 | 砷化镓高电子迁移率晶体管 |
| 释义 | 砷化镓高电子迁移率晶体管 砷化镓高电子迁移率晶体管 在砷化镓金属半导体场效应管基础上发展起来的异质结场效应器件。可分为增强型和耗尽型两种。由器件肖特基势垒高度、势垒层厚度、掺杂浓度等因素共同确定其类型。增强型器件在零伏栅压下，源漏电流夹断，随着栅压向正电压变化，源漏电流逐步变大；而耗尽型器件在零伏栅压下，源漏电流就开启，随着栅压向负电压变化，源漏电流逐渐变小直至切断。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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