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轻掺杂漏区
释义
轻掺杂漏区
信息科学卷
轻掺杂漏区
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)为了减弱漏区电场,防止热载流子效应导致器件失效而采取的一种结构。即在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区,让该低掺杂的漏区也承受部分电压。
出处:信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
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更新时间:2025/7/26 15:44:41