出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 宽带隙半导体材料
| 词条 | 碳化硅薄膜 |
| 释义 | 碳化硅薄膜 碳化硅薄膜 薄膜状态的碳化硅材料。一般采用化学气相沉积，外延单晶薄膜一般采用高温化学气相沉积，如果是沉积6H碳化硅，温度一般要达到1600℃，而在硅衬底上沉积3C碳化硅，则温度需要800℃左右。多晶与非晶碳化硅薄膜一般采用等离子体增强化学气相沉积制备，温度在400℃左右。一般在传感器工艺中使用。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 宽带隙半导体材料 |
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