出处：数理化力学卷 • 化 学 • 无机化学
| 词条 | 磷化铟 |
| 释义 | 磷化铟 磷化铟 化学式InP。一种重要的化合物半导体材料。为有似金属外观的单晶。易碎。熔点1070℃。微溶于无机酸。在高温和高压下用铟和红磷为原料合成多晶,然后在高压单晶炉内拉制而成。是直接跃迁型半导体。以单晶作为衬底材料可外延生长砷镓铟或磷砷镓铟,用于制造波长范围为1.0~1.5微米的半导体激光器、发光二极管和光检测器,在长波长光纤通信上得到广泛应用,也用于制造体效应管和场效应管等微波器件。 出处：数理化力学卷 • 化 学 • 无机化学 磷化铟 化学式InP。一种重要的化合物半导体材料。为具有疑似金属外观的单晶。易碎。熔点1070℃。微溶于无机酸。在高温和高压下用铟和红磷为原料合成多晶，然后在高压单晶炉内拉制而成。是直接跃迁型半导体。以单晶作为衬底材料可外延生长砷镓铟或磷砷镓铟，用于制造波长范围为1.0～1.5微米的半导体激光器、发光二极管和光检测器，在长波长光纤通信上得到广泛应用，也用于制造体效应管和场效应管等微波器件。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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