出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 词条 | 磷化铟上砷化镓 |
| 释义 | 磷化铟上砷化镓 磷化铟上砷化镓 采用外延方法将磷化铟基器件生长在砷化镓衬底上制成的材料。结合磷化铟基器件高速、高频或光电优势和砷化镓衬底相对低价、高力学强度优点，有利于实现光电集成。形成的异质结之间存在高达4%的晶格失配，外延材料超过临界厚度，易产生位错。主要采用金属有机物气相外延和分子束外延技术制备，方法有应变超晶格缓冲层法、两步法、渐变组分层法以及循环退火法等。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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