出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 晶体缺陷 |
| 释义 | 晶体缺陷 晶体缺陷 亦称“晶格缺陷”、“晶格不完善性”。晶体结构中，质点的空间分布在局部范围内偏离了三维周期性平移重复的规律而产生的错误排布。按其展布范围特征可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷四类。晶体缺陷可在晶体生长时形成，亦可在之后因热振动或应力作用产生，并可在晶格中迁移，以至消失。在实际晶体中或多或少总有存在，对晶体的许多性质（如凝固、扩散、变形等）有重大影响。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 晶体缺陷 晶体中一切偏离理想的点阵结构。按几何形式，分四类：（1） 点缺陷，在三维空间中各方向上的尺寸都很小，故亦称“零维缺陷”，如空位、间隙原子、杂质原子、错位原子、变价原子、色心等；（2） 线缺陷，在三维空间中两个方向上的尺寸都很小，另一个方向上的尺寸较大，故亦称“一维缺陷”，重要的线缺陷是位错；（3） 面缺陷，在三维空间中一个方向上的尺寸很小，另两个方向上的尺寸较大，故亦称“二维缺陷”，如晶界、亚晶界、相界、层错、孪晶界、有序畴界、生长层、胞壁、电畴界、磁畴界等；（4） 体缺陷，在三维空间中三个方向上的尺寸都较大，故亦称“三维缺陷”，如沉淀相、包裹物、空洞等。并非静止和稳定不变，而是随着各种条件的改变不断地变动，可产生、发展、运动和相互作用，亦可合并、消失。对结构敏感性能有着极其重要的影响，与晶体的凝固、扩散、固态相变等过程都有重大关系，特别对塑料变形、强度、断裂等方面起决定性的作用。 出处：材料科学卷 • 总类 • 材料科学基础 |
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