出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 智能剥离技术 |
| 释义 | 智能剥离技术 智能剥离技术 通过向硅片注入氢离子制备绝缘体上硅的技术。是国际上绝缘体上硅材料的主流制备技术。主要工艺步骤有：（1） 利用氢离子注入在硅片中形成气泡层；（2） 将注氢片与另一支承片键合（两个硅片之间至少一片的表面要有热氧化二氧化硅覆盖层）；（3） 经适当的热处理使注氢片从气泡层处完整裂开，形成绝缘体上硅结构；（4） 对表面进行化学机械抛光，去掉残留损伤，为器件制备提供光滑表面。氧化埋层是用热氧化法制备，无漏电通道，性能优异。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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