出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 复合中心 |
| 释义 | 复合中心 复合中心 半导体中起着促进载流子复合作用的杂质或缺陷。半导体中的电子和空穴，在运动过程中可以有一定机会相遇，正负电荷互相中和而导致这对载流子“消失”，这过程称载流子的“复合”。运动的电子与空穴直接相遇而复合的称“直接复合”；载流子被一些杂质（如锗和硅中的铜、金、镍、铁、锰等）或缺陷所束缚而复合的称“间接复合”。复合过程发生在半导体表面的间接复合称“表面复合”；发生在半导体体内的间接复合称“体内复合”。半导体中复合中心的数量越多，它的非平衡载流子寿命就越短。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 复合中心 半导体中起着促进载流子复合作用的杂质或缺陷。半导体中的电子和空穴,在运动过程中可以有一定机会相遇,正负电荷互相中和而导致这对载流子“消失”,这过程称为“载流子的复合”。运动的电子与空穴直接相遇而复合的称“直接复合”;载流子被一些杂质(如锗和硅中的铜、金、镍、铁、锰等)或缺陷所束缚而复合的称“间接复合”。半导体中复合中心的数量愈多,它的非平衡载流子寿命就愈短。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 复合中心 半导体中起着促进载流子复合作用的杂质或缺陷。半导体中的电子和空穴，在运动过程中可以有一定机会相遇，正负电荷互相中和而导致这对载流子“消失”，该过程称为“载流子的复合”。运动的电子与空穴直接相遇而复合的称“直接复合”；载流子被一些杂质如锗和硅中的铜、金、镍、铁、锰等，或缺陷所束缚而复合的称“间接复合”。半导体中复合中心的数量愈多，它的非平衡载流子寿命就愈短。 出处：材料科学卷 • 总类 • 材料科学基础 |
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