出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性
| 词条 | 离子注入掺杂 |
| 释义 | 离子注入掺杂 离子注入掺杂 利用从离子注入机获得所需能量和束流的离子，注入到半导体片中实现均匀掺杂的工艺。主要优点有：（1） 掺杂深度和浓度均可以精确控制，可获得浅结、高浓度等；（2） 可根据器件制作工艺的需要选择注入温度，有利于改善器件性能；（3） 可进行不同能量、不同剂量的连续注入，以获得特定的掺杂剖面；（4） 是非平衡过程，在平衡条件下不能掺入的杂质用离子注入可以实现掺杂；（5） 大剂量离子注入在表面可以合成新型材料（包括亚稳态化合物）；（6） 在任何衬底上可以注入任何杂质离子。 出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性 |
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