出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 多孔氧化硅全隔离技术 |
| 释义 | 多孔氧化硅全隔离技术 多孔氧化硅全隔离技术 英语缩写FIPOS。通过多孔氧化硅实现元件间隔离的技术。在光学和混合技术中已获得应用。采用掺杂硅层阳极化形成掩埋多孔硅层，然后多孔硅层进行热氧化。多孔硅的氧化速率比普通硅的氧化速率高出几个数量级。在有源区周围和下面的多孔硅形成氧化层使之成为介质隔离的硅岛。材料的缺陷密度可以与体硅相比拟，但硅岛尺寸受限，且整个片子上硅岛厚度不均匀。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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