出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 词条 | 选择外延 |
| 释义 | 选择外延 选择外延 仅在衬底的特定局部区域内进行的外延生长。通常利用掩膜技术实现，也可借助局域光激励实现无掩膜的选择外延。有掩膜的选择外延方式是在衬底上先淀积一层介电层（二氧化硅、氮化硅等），然后用光刻方法在介电层上开窗口，由于介质表面上成核能量高，选择适当的生长条件使外延生长只发生在窗口区的半导体表面上。为避免在掩膜上发生淀积，可采用提高生长温度、降低生长速率、降低反应室压力、增加非覆盖与覆盖面积比、在反应室中引入氯化氢腐蚀剂或采用含氯的有机金属化合物等方法。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
| 随便看 |
百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。