“空腔上硅技术”的意思、由来-百科全书

词条	空腔上硅技术
释义	空腔上硅技术材料科学卷空腔上硅技术　　英语缩写SON。小尺寸互补金属-氧化物-半导体电路发展起来的高级混合技术。通过“空桥”结构在沟道下形成局域的绝缘体上硅，但是否适用于深亚微米互补金属-氧化物-半导体工艺尚待研究。出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
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