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空腔上硅技术
释义
空腔上硅技术
材料科学卷
空腔上硅技术
英语缩写SON。小尺寸互补金属-氧化物-半导体电路发展起来的高级混合技术。通过“空桥”结构在沟道下形成局域的绝缘体上硅,但是否适用于深亚微米互补金属-氧化物-半导体工艺尚待研究。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
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更新时间:2026/4/29 20:26:45