“空腔上硅技术”的意思、由来-百科全书

词条	空腔上硅技术
释义	空腔上硅技术材料科学卷空腔上硅技术　　英语缩写SON。小尺寸互补金属-氧化物-半导体电路发展起来的高级混合技术。通过“空桥”结构在沟道下形成局域的绝缘体上硅，但是否适用于深亚微米互补金属-氧化物-半导体工艺尚待研究。出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
随便看	鳎鳏鳏夫鳏夫的房产鳏寡鳏寡孤独鳏旷鳏鳏鳐鳑鳑鲏鳒鳓鳔鳕鳖鳖思马鳖甲鳖甲煎丸鳗鳗螈鳗鲞鳗鲡鳗鲶鳘

百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。