出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 词条 | 量子阱材料 |
| 释义 | 量子阱材料 量子阱材料 由禁带宽度不同的两种半导体材料，将窄禁带的薄层材料生长在宽禁带材料之间所形成的三层微结构材料。其中，窄禁带材料称为“势阱层”，而其两侧的宽禁带材料称为“势垒层”。当势阱层厚度小到与电子的德布罗意波长相当或更小时，电子（空穴）在垂直于势阱层界面方向上的运动能量是量子化的。只包含一个势阱层的，称“单量子阱材料”。含多个势阱层，且各个势阱层厚度大到足以使相邻两个势阱中电子波函数不能相互重叠（耦合）的，称“多量子阱材料”。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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