出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 耗尽层 |
| 释义 | 耗尽层 耗尽层 pn结在无外加电压的平衡条件下在界面处没有可动电荷存在的一薄层区域。由于载流子在该层中已耗尽，故名。它起源于pn结中的自建电场，载流子受这电场作用而离开结附近的一薄层区域，于是在这区域中只留下不可动的杂质离子。所以pn结的耗尽层也就是它的空间电荷区。耗尽层的厚度取决于半导体的掺杂浓度，浓度越低，层越厚。在外加电压作用下，耗尽层的厚度要发生变化，加反向偏置电压时，层就变厚，反向偏压越高，厚度增加越大，而它的加厚主要发生在pn结的轻掺杂一侧。耗尽层厚度随外加电压的变化，就表现为pn结的电容效应。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 耗尽层 pn结在无外加电压的平衡条件下在界面处没有可动电荷存在的一薄层区域。由于载流子在该层中已耗尽,故名。它起源于pn结中的自建电场,载流子受这电场作用而离开结附近的一薄层区域,于是在这区域中只留下不可动的杂质离子。所以pn结的耗尽层也就是它的空间电荷层。耗尽层的厚度取决于半导体的掺杂浓度,浓度愈低,层愈厚。在外加电压作用下,耗尽层的厚度要发生变化,加反向偏置电压时,层就变厚,反向偏压愈高,厚度增加愈大,而它的加厚主要发生在pn结的轻掺杂一侧。耗尽层厚度随外加电压的变化,就表现为pn结的电容效应。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 耗尽层 pn结在无外加电压的平衡条件下在界面处没有可动电荷存在的薄层区域。由于载流子在该层中已耗尽，故名。起源于pn结中的自建电场，载流子受电场作用而离开结附近的一薄层区域，于是在该区域中只留下不可动的杂质离子。所以pn结的耗尽层也就是它的空间电荷层。其厚度取决于半导体的掺杂浓度，浓度愈低，层愈厚。在外加电压作用下，其厚度会变化，加反向偏置电压时，层就变厚，反向偏压愈高，厚度增加愈大，而它的加厚主要发生在pn结的轻掺杂一侧。耗尽层厚度随外加电压的变化，就表现为pn结的电容效应。 出处：材料科学卷 • 总类 • 材料科学基础 |
| 随便看 |
百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。