出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 位移效应 |
| 释义 | 位移效应 位移效应 材料因晶格发生位移引起性能变化的现象。原因是入射粒子（如快中子、高能质子、重带电粒子等）与材料晶格原子发生碰撞，通过碰撞，入射粒子将其能量的一部分交给晶格原子，导致晶格原子离开正常晶格位置，最终形成空位-间隙对缺陷，造成位移损伤。位移损伤缺陷导致半导体的材料参数如少子寿命、多子浓度和迁移率退化。当位移损伤严重时，将造成器件结构参数的变化，导致器件电路永久性的失效。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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