出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 隧道击穿 |
| 释义 | 隧道击穿 隧道击穿 pn结击穿的一种。反向偏压增高时，p区一边的满带顶部可高于n区一边的导带底，如果空间电荷区非常薄，p区的满带电子可通过隧道效应穿透到n区的导带中去，形成大的反向电流。因最初由美国物理学家齐纳（Clarence Melvin Zener，1905—1993）提出，故亦称“齐纳击穿”。当pn 结两侧的掺杂浓度都很高时，空间电荷区很薄，容易发生隧道击穿。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 隧道击穿 即“齐纳击穿”。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 |
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