出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 键合和背面腐蚀绝缘体上硅技术 |
| 释义 | 键合和背面腐蚀绝缘体上硅技术 键合和背面腐蚀绝缘体上硅技术 英语缩写BESOI。通过键合和背面腐蚀制备绝缘体上硅的技术。主要包括两个工艺步骤：（1） 将两个抛光好并且表面生长有高质量热氧化层的硅片进行严格清洗，然后在超净环境中利用范德华力使其键合，并在高温下退火提高其键合强度；（2） 背面减薄，将其中一个硅片从几百微米研磨抛光至数微米厚，另一片作衬底，形成绝缘体上硅结构。但表面硅层厚度的均匀性难以控制。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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