出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 绝缘体上应变硅材料 |
| 释义 | 绝缘体上应变硅材料 绝缘体上应变硅材料 应变硅直接制备在绝缘层上，而无弛豫硅锗中间层的半导体材料。有一种制备过程是：（1） 在普通硅片上外延递变组分的硅锗层，然后外延一层固定组分的弛豫硅锗层，最后外延应变硅层。利用化学机械抛光技术将应变硅表面抛光。（2） 利用智能剥离技术，在该外延片中注入氢，然后将其与一个覆盖有氧化层的硅片键合，然后剥离，退火。（3） 用湿法腐蚀去除应变硅表面残留的硅锗层。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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