出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体材料
| 词条 | 绝缘体上硅材料 |
| 释义 | 绝缘体上硅材料 绝缘体上硅材料 英语缩写SOI（silicon on insulator）。在顶层硅和衬底之间引入一层绝缘层的硅基半导体材料。可实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除体硅CMOS（互补型金属-氧化物-半导体）电路中的寄生闩锁效应。采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体材料 绝缘体上硅材料 英语缩写SOI。由绝缘衬底和单晶硅层组成的硅基半导体材料。可是一层绝缘衬底加一层单晶硅层，也可是以绝缘薄层为中间层（称为“埋层”）的三明治结构。传统的绝缘埋层一般为二氧化硅层。制作器件时，仅使用顶层的薄硅层来作为器件制作层，而衬底仅起支承作用，三明治结构中埋层将器件制作层与衬底在电学上隔离开，从而减少衬底对器件性能的影响。是纳米技术时代的高端硅基材料。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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