出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 雾缺陷 |
| 释义 | 雾缺陷 雾缺陷 在经过化学腐蚀显示的抛光硅片表面所出现的一种高密度、均匀分布的浅腐蚀坑（S坑）缺陷。因在强光照明下，类似云雾，故名。通常认为是由抛光过程中的重金属杂质沾污引起的。在器件的高温热工艺和外延生长中，雾缺陷可引发其他二次缺陷的形成，对器件产生不利的影响。在硅器件工艺中，采用吸杂技术可以有效防止雾缺陷的产生。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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