出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 体接触 |
| 释义 | 体接触 体接触 使绝缘体上硅材料绝缘埋层上方、上层硅膜底部处于电学浮空状态的中性区域和外部相接触，导致空穴不可能在该区域积累的工艺。这种结构可成功克服浮体效应。方法有：在场氧层和埋氧层中间留一层很薄的硅膜，形成所谓的“井接触”结构；在体区下方用低阻多晶硅区实现隐埋体接触，通过降低横向体电阻来抑制体电势的升高等。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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