出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 非平衡载流子 |
| 释义 | 非平衡载流子 非平衡载流子 半导体受到外界条件（如光、电场）影响时，因原来的平衡状态被破坏而产生的附加的载流子。多为少数载流子。可在半导体内进行扩散运动，并由于复合而逐渐消失。适当控制这些非平衡载流子的产生、运动和复合，是制造某些半导体器件的物理基础。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 非平衡载流子 半导体中存在着电子和空穴两种载流子。由于热运动的激发作用,这两种载流子不断地产生,又通过复合而成对地消失。在热平衡情况下,载流子的产生和复合达到平衡,半导体内就具有一定数量的载流子,这些载流子称为“平衡载流子”。但当半导体受到外界条件(如光、电场)影响时,原来的平衡状态就被破坏,产生附加的载流子,这些附加的载流子称为“非平衡载流子”。非平衡载流子可以在半导体内进行扩散运动,并由于复合而逐渐消失。适当控制这些非平衡载流子的产生、运动和复合,是制造某些半导体器件的物理基础。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 非平衡载流子 见“载流子”（45页）。 出处：材料科学卷 • 总类 • 材料科学基础 |
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