“镓铟砷”的意思、由来-百科全书

镓铟砷　　化学式InxGa1-xAs。一种三固溶体材料。其晶胞参数、带隙宽度及其他电学和光学参数等特性均随固体的组分而改变。In0.53Ga0.47As与磷化铟衬底晶格匹配，其禁带宽度为0.75电子伏，电子迁移率和峰值迁移率都比砷化镓高，对应的发射波长为1.68微米，通过增加铟的组分x可以使其发射波长扩展到2.6微米。是重要的光电器件材料。采用铟镓砷沟道的高电子迁移率晶体管器件是一种速度很快的晶体管器件。作为重要的光电器件材料中被广泛用于短波红外相机、光电二极管和多种波长的激光器中。

出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料

词条	镓铟砷
释义	镓铟砷材料科学卷镓铟砷　　化学式InxGa1-xAs。一种三固溶体材料。其晶胞参数、带隙宽度及其他电学和光学参数等特性均随固体的组分而改变。In0.53Ga0.47As与磷化铟衬底晶格匹配，其禁带宽度为0.75电子伏，电子迁移率和峰值迁移率都比砷化镓高，对应的发射波长为1.68微米，通过增加铟的组分x可以使其发射波长扩展到2.6微米。是重要的光电器件材料。采用铟镓砷沟道的高电子迁移率晶体管器件是一种速度很快的晶体管器件。作为重要的光电器件材料中被广泛用于短波红外相机、光电二极管和多种波长的激光器中。出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
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