“镓铟砷锑”的意思、由来-百科全书

镓铟砷锑　　化学式Ga1-xInxAs1-ySby。一种四元固溶体半导体材料。其晶胞参数、带隙宽度及其他电学和光学等特性均随固体的组分而改变。晶体结构为闪锌矿型，晶格常数可在0.6479～0.6654纳米之间变化，常温下带隙为0.1～1.42电子伏。选择适当的摩尔分数x、　y值可维持晶格常数恒定而改变带隙等电学及光学参数，便于制备晶格匹配的半导体异质结构与器件。用由动力学生长机制控制的金属有机物气相外延和分子束外延可生长出混溶隙的压稳固溶体。多用于制造2～3.5微米波段工作的中红外半导体探测器和激光器。

出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料

词条	镓铟砷锑
释义	镓铟砷锑材料科学卷镓铟砷锑　　化学式Ga1-xInxAs1-ySby。一种四元固溶体半导体材料。其晶胞参数、带隙宽度及其他电学和光学等特性均随固体的组分而改变。晶体结构为闪锌矿型，晶格常数可在0.6479～0.6654纳米之间变化，常温下带隙为0.1～1.42电子伏。选择适当的摩尔分数x、　y值可维持晶格常数恒定而改变带隙等电学及光学参数，便于制备晶格匹配的半导体异质结构与器件。用由动力学生长机制控制的金属有机物气相外延和分子束外延可生长出混溶隙的压稳固溶体。多用于制造2～3.5微米波段工作的中红外半导体探测器和激光器。出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
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