出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 浮体效应 |
| 释义 | 浮体效应 浮体效应 厚膜部分耗尽绝缘体上硅器件。由于氧化埋层的隔离作用，处于电学浮空状态，这种浮体结构给器件特性带来的影响。是由顶层硅膜厚度大于器件开启后的最大耗尽层宽度，硅膜耗尽层下方存在一块中性区域引起。最主要的表现是当漏电压高于某值时，器件的输出特性曲线出现上翘的现象（称“翘曲效应”）。而对于薄膜全耗尽绝缘体上硅器件，硅膜厚度小于最大耗尽层宽度，当器件开启时，硅膜可全部耗尽，这种效应并不明显。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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