出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术
| 词条 | 分子束外延 |
| 释义 | 分子束外延 分子束外延 能十分精确地控制材料生长速率和成分的一种外延方法。在超高真空室中将材料放在喷射炉内加热，使之升华而通过喷射炉上一个小口喷出，形成一束分子流，射到衬底表面并淀积其上形成外延层。其特点是：（1） 生长速率极慢，为0.1～1纳米／秒，因而可以生长极薄而厚度均匀的外延层，实际上是一种原子级的加工技术；（2） 外延生长温度低，可以避免衬底与外延层间的原子扩散，同时又可避免通常在高温下产生的热缺陷；（3） 由于生长在超高真空室中进行，衬底表面经过处理可成为完全清洁的，在外延过程中又可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 分子束外延 在超高真空中,能十分精确控制生长速率和成分的一种外延方法。在超高真空室中将材料放在喷射炉内加热,使之升华而通过喷射炉上一个小口泻出,形成一束分子流,射到衬底表面,就淀积在上面形成外延层。分子束外延的特点是:(1)生长速率极慢,为0.1~1纳米/秒,因而可以生长极薄而厚度均匀的外延层,实际上是一种原子级的加工技术;(2)外延生长的温度低,可以避免衬底与外延层间的杂质再扩散,而获得杂质浓度分布异常陡峭的半导体pn结,同时又可避免通常在高温下产生的热缺陷;(3)由于生长在超高真空室中进行,衬底表面经过处理可成为完全清洁的,在外延过程中又可避免沾污,因而能生长出质量极好的外延层。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 分子束外延 在超高真空条件下，将一种或多种被加热组元的原子或分子束，以一定的速度喷射到受热衬底表面，在其上进行化学反应，并沉积成单晶薄膜的一种晶体生长技术。生长速率可控，生长温度低，是非平衡状态生长，均匀性重复性好。在生长室内可配置多种原位分析仪器。利用此技术，已生长出一系列异质结、超晶格、量子阱等半导体微结构材料，制备出高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管，高速微波器件以及量子阱激光器、红外探测器。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
| 随便看 |
百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。