出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 词条 | 异质结双极晶体管 |
| 释义 | 异质结双极晶体管 异质结双极晶体管 由宽禁带半导体材料作为发射区、窄禁带半导体材料作为基区构成的双极型晶体管，英语缩写HBT。20世纪80年代发展起来的一种新型化合物半导体器件。一般采用分子束外延或金属有机化合物化学气相淀积等方法来生长。有较好的高频性能，且驱动能力强、电流密度大、芯片面积小、阈值容易控制、重复性好、抗辐照和抗静电能力强、单电源工作。有磷化铟异质结双极晶体管、磷化铟/砷化镓单异质结双极晶体管等多种。广泛用于高频和高速电路中。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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