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宽带隙半导体
释义
宽带隙半导体
材料科学卷
宽带隙半导体
室温下带隙大于2.0电子伏的半导体材料。如氮化镓、碳化硅和氧化锌等。广泛用于蓝、紫光和紫外线电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
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更新时间:2025/7/28 16:07:50