出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性
| 词条 | 化学机械抛光 |
| 释义 | 化学机械抛光 化学机械抛光 英语缩写CMP。采用抛光机、抛光液、抛光垫、抛光布在一定的工艺条件下实现材料表面高平坦化的一种技术。由国际商业机器公司（IBM）于20世纪80年代中期开发。技术来源是硅片抛光工艺，所用的设备和材料都与硅片抛光用的设备、材料等相似。可使多层二氧化硅介质平面化和实现多层金属高密度互连，使多层电路结构能在一个近乎平坦的平面上进行制备，加速低电阻率铜取代铝作为互连线的步伐，降低芯片功耗。已有多种改进的抛光设备。 出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性 化学机械抛光 半导体器件制造工艺中的一种技术。使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶片或其他衬底材料进行平坦化处理。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 |
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