出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性
| 词条 | 化学气相沉积 |
| 释义 | 化学气相沉积 化学气相沉积 借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜的工艺技术。包括气体的输运、衬底表面吸附、化学反应、反应物质的解吸及输运等步骤。采用的化学反应类型有热分解、氢还原、金属还原、氧化、等离子激发反应、光激发反应等。源物质可为气态、液态或固态。主要设备包括气体的发生、净化、混合及输运装置，反应室、衬底加热装置和排气装置。由于是利用气体反应来形成薄膜，故可任意控制薄膜组成及合成新的结构。可制备半导体外延膜、介质膜、金属膜及金属的氧化物、碳化物、硅化物等多种薄膜。 出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性 化学气相沉积 英语缩写CVD（chemical vapor deposition）。反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，形成薄膜或涂层的技术。用于沉积单晶、多晶、非晶等各种材料。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 化学气相沉积 借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜的工艺技术。包括气体的输运、衬底表面吸附、化学反应、反应物质的解吸及输运等步骤。采用的化学反应类型有热分解、氢还原、金属还原、氧化、等离子激发反应、光激发反应等。源物质可为气态、液态或固态。主要设备包括气体的发生、净化、混合及输运装置，反应室、衬底加热装置和排气装置。由于是利用气体反应来形成薄膜，故可任意控制薄膜组成及合成新的结构。可制备半导体外延膜、介质膜、金属膜及金属的氧化物、碳化物、硅化物等多种薄膜。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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