出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 总剂量辐射效应 |
| 释义 | 总剂量辐射效应 总剂量辐射效应 带电粒子（如电子、质子等）、γ射线、X射线与物质相互作用在半导体器件内产生过剩的电子-空穴对，及其后的在器件内部不同位置所产生的一系列物理过程。如复合、输运等对器件电性能的影响。以对电离辐射很敏感的金属氧化物半导体器件为例，电离辐射将最终在二氧化硅绝缘层产生正的氧化物陷阱电荷，在硅/二氧化硅界面产生界面陷阱电荷。其结果是导致器件电特性参数明显退化，甚至功能失效。是一种累积的损伤行为。对短时间的总剂量效应（如核爆炸产生的γ、X射线）主要是氧化物陷阱电荷的损伤；对于长时间的总剂量效应（空间辐射环境）则主要来自界面陷阱电荷的损伤。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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