出处：数理化力学卷 • 物 理 • 原子物理及核物理
| 词条 | 半导体探测器 |
| 释义 | 半导体探测器 半导体探测器 用半导体作为探测介质的辐射探测器。特点是能量分辨本领好,分辨时间快。常用的有三种类型:(1)金硅面垒型。在一块n型硅单晶片上喷涂一层金膜,在金硅交界面附近形成一个高阻区。(2)锗(或硅)-锂漂移型。使适量的锂均匀地漂移进一块p型锗(或硅)单晶,形成高阻区。(3)高纯锗(或硅)单晶。使用时,探测器上接反向电压,当有射线进入高阻区时,损耗能量产生电子-空穴对,在电场作用下,电子空穴被收集,就有电信号输出,再利用电子仪器记录。金硅面垒探测器适用于测量带电粒子。用锗探测器测量γ射线的能量分辨率特别好,只是一定要在低温(77开)条件下使用。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 原子物理及核物理 |
| 随便看 |
百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。