出处:信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
词条 | 闩锁效应 |
释义 | 闩锁效应 闩锁效应 亦称“自锁效应”、“闸流效应”。在互补型金属-氧化物-半导体(CMOS)电路中,由于寄生晶体管被触发导通,引起电源到地的极大电流,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路的现象。通常在电路设计和工艺制作中应加以防止和限制。 出处:信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 闩锁效应 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺所特有的寄生效应。严重时会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的N-P-N-P结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法是减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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