基于场效应原理，由砷化镓材料制成的晶体管。分结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管两种。前者利用pn结上反偏压形成场效应，后者利用金属-半导体接触势垒（肖特基势垒）形成场效应。与硅相比，砷化镓的电阻率高、电子迁移率大、禁带宽，故器件的跨导大、速度快、噪声低、工作温度高及更耐辐射。主要用作低噪声微波晶体管、功率微波晶体管以及用于微波集成和超高速数字集成电路中。