对磁场的变化特别敏感的半导体材料。其典型应用为砷化镓半导体霍耳元件。20世纪90年代发展了一类非晶态金属-非金属化合物半导体材料，对磁场变化感知和传递非常敏感，如空穴氧化镍基合金薄膜具有很强的非线性磁检测功能。