亦称“离子掺杂”。常用于半导体掺杂和pn结制作技术。方法是将杂质离子在真空中加速到一定能量后，打到半导体晶片上，高速的离子穿透晶体表面进入体内，经过不断与晶体的原子碰撞速度减慢，并终止在一定的深度，从而达到掺杂的目的。同制作pn结的杂质扩散方法相比较，离子注入具有：掺杂温度较低，可以精确控制杂质分布，获得浅结和薄的基区宽度以及有可能发展为无掩模技术等优点，在制造微波晶体管、场效应晶体管等方面应用较广。