硅器件和集成电路的一整套优越的制备工艺的总称。特点是：由外延、氧化、光刻、扩散等工艺制成器件和电路，芯片表面基本呈平面状，各电极都在该平面上引出；在平面工艺的全部过程中，芯片表面有二氧化硅层保护，避免了对PN结的沾污，制成的器件和电路有良好的稳定性和可靠性。广泛应用于硅器件和集成电路的研制和生产中。