导电性能介于金属和绝缘体之间的非离子性导电物质（室温时其电阻率约为10³～10⁹欧·厘米）。如锗、硅以及某些化合物等。与金属的情况不同，半导体中杂质的含量和外界条件的改变（如温度变化、受光照射等），都会使它的导电性能发生显著变化。纯度很高、内部结构完整的半导体，在极低温度下几乎不能导电，但随着温度升高，它的电阻率迅速减小。含有少量杂质、内部结构不很完整的半导体通常可分为n型和p型两类。半导体的*pn结以及半导体同某些金属相接触的边界层，都具有单向导电或在光照下产生电势差的特性。利用这些特性可制成各种器件，如半导体二极管、三极管和集成电路等。参见“化合物半导体”、“半导体器件”。