词条 | 功率静电感应晶体管 |
释义 | gonglü jingdiɑn gɑnying jingtiguɑn 功率静电感应晶体管(卷名:电工) power static-induction transistor 一种短沟道的功率场效应晶体管。简称 SIT。为区别起见, 一般不把它归入功率场效应晶体管类。SIT通常采用 n沟道的结型场效应结构。图1为这种SIT的符号,G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。 ![]() SIT有平面型、埋沟型等几种。 ![]() ![]() SIT是介于双极型功率晶体管(GTR)与功率场效应晶体管(功率MOSFET)之间的器件(性能方面更接近后者),其开关频率可在1MHz以上(可达100MHz),80年代中期其容量已有10A/800V,和功率MOSFET差不多,适用于数千瓦以下的电力电子装置上。 虽然SIT的概念早在1950年就被提出,功率SIT器件直至 70年代末方出现。SIT的工作电流密度要大于功率MOSFET,且其制造工艺也比后者容易,因而是一种很有前途的器件,有希望发展成100A/1000V级的大容量高频器件。 另外,若将图2中的SIT漏极的n型高掺杂半导体换成p型半导体,则器件变成静电感应晶闸管(又称场控晶闸管),简称SITH。它的工作电流密度及容量远比SIT高,可达门极可关断晶闸管(GTO)的水平,其开关性能(尤其是开通速度)则优于GTO,是80年代出现的性能最优的大容量电力电子器件之一。 |
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