词条 | 后沉淀 |
释义 | houchendian 后沉淀(卷名:化学) postprecipitation 如果往含有两种离子M1和M2的溶液中加入沉淀剂P,则M1P立即沉淀,而M2P并不沉淀。但是,当析出的沉淀与母液一起放置时,M2P将在M1P表面上逐渐沉淀,且放置时间越长,M2P析出得越多,这种现象称后沉淀,又称继沉淀。后沉淀使得先沉淀的M1P被M2P所玷污。例如,在Mg2+存在下用过量草酸盐沉淀Ca2+,草酸镁并不沉淀,但在草酸钙陈化过程中,草酸镁就会在草酸钙表面上析出,即玷污草酸钙,又影响了分离效果。在硫化氢系统定性分析中,有时后沉淀相当严重。例如,在含有0.01ΜZn2+的盐酸溶液中通入硫化氢至饱和,硫化锌并不沉淀;但如果溶液中同时含有Cu2+,就会首先析出硫化铜沉淀。这时若立即过滤,则硫化铜沉淀中含硫化锌甚微;但若把沉淀与母液一起放置,硫化锌便会在硫化铜表面上析出,放置时间越长,硫化锌析出越多,甚至绝大部分Zn2+与硫化铜一起沉淀出来,从而造成阳离子第三组检出 Zn2+时的“丢失”。产生这种后沉淀的原因可能在于硫化铜沉淀表面具有强烈吸附S2-的倾向,使得硫化铜与溶液界面上的S2- 大大浓集。 后沉淀是玷污沉淀的原因之一。后沉淀与共沉淀的主要区别是:后沉淀引入杂质的量随沉淀在母液中放置时间的延长而增多;而共沉淀的量受放置时间影响较小。因此,在有后沉淀的体系中要严格控制陈化时间。在分离与富集方法中,后沉淀有时是有利的。例如,在酸性介质中,微量In3+可在二硫化锡沉淀之后后沉淀,延长陈化时间可使In3+定量地析出。 |
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